HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。
HMDS真空箱,HMDS系统真空烘箱技术参数： 电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2% 输入功率：2400W 控温范围：室温+10℃-250℃ 温度分辨率：0.1℃ 温度波动度：±0.5℃ 达到真空度：133Pa 容积：90L 工作室尺寸（mm）：450*450*450 HMDS真空箱,HMDS系统真空烘箱的一般工作流程： 首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻（*基硅烷基较大）阻止其进一步反应。 尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到废气收集管道。在无废气收集管道时需做专门处理。
