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HMDS真空烘箱,HMDS处理系统

HMDS真空烘箱,HMDS处理系统

简要描述:

HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表而生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。

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HMDS真空箱,HMDS系统真空烘箱技术参数:

电源电压:AC 220V±10%/50Hz±2%

输入功率:2400W

控温范围:室温+10-250

温度分辨率:0.1

温度波动度:±0.5

达到真空度:133Pa

容积:90L

工作室尺寸(mm):450*450*450

 

HMDS真空箱,HMDS系统真空烘箱的一般工作流程:

    首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真牢度达到某一高真空度后,开始充人氮气,充到达到某低真空度后,冉次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100-200,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表而生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻三甲基硅烷基较大阻止其进一步反应。

    尾气排放等:多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

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