HMDS真空烘箱处理系统：性能更好，由于是在经过数次的氮气置换再进行的HMDS处理，所以不会有尘埃的干扰，再者，由于该系统是将“去水烘烤“和HMDS处理放在同一道工艺，同一个容器中进行，晶片在容器里先经过100℃-160℃的去水烘烤，再接着进行HMDS处理，不需要从容器里传出，而接触到大气，晶片吸收水分子的机会大大降低，所以有着更好的处理效果。

HMDS真空烘箱处理系统技术参数

电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2%

输入功率：2000W

控温范围：RT+20℃-160℃

温度分辨率：0.1℃

温度波动度：±0.5℃

达到真空度：-100kPa（1torr）

工作室尺寸（mm）：450*450*450（可定做）

有可自动吸取添加HMDS功能，智能型的程式设定，一键完成作业。

HMDS真空烘箱处理系统加热模块

由于工艺的整个过程都需要在150℃左右的环境下进行，所以自始至终加热

系统都在工作。

本系统采用在腔内分布两块独立的热板来实现加热，每个热板都采用人工智

能PID调节仪实现闭环控制，调节仪控制固态继电器的输出从而实现温度的精确

稳定控制，测温采用通用的高精度热敏电阻Pt100。

真空模块

由机械泵、真空组件、真空测量等组成，主要作用是置换气体和抽走剩余的

HMDS蒸汽。

充氮模块

作用是在置换过程中，用氮气来逐渐稀释空气或药液蒸汽，从而zui终替换空气

或药液蒸汽的气氛。

主要由氮气源、控制阀和喷头组成。

控制模块

控制模块是本系统的核心模块，它的作用是控制各个模块的动作和时序，完

成整个工艺过程。

它主要由人机界面，CPU控制中心，控制接口和输出部件，报警等5部分组

成。

人机界面采用φ100mm松下触摸屏来实现参数、状态等界面的显示和参数的设定输入。PLC采用松下的FP0系列小型化PLC。