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HMDS烘箱在第三代半导体材料中的工艺

更新时间:2023-10-07   点击次数:365次

HMDS烘箱在第三代半导体材料中的工艺

  第三代半导体是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度Eg>2.3eV)的半导体材料。其中又以SiC和GaN为最核心的材料。然而这些新材料衬底在光刻模块中的标准步骤是:脱水烘烤、HMDS prime、抗蚀剂旋转/喷涂、软烘烤、对准、曝光、曝光后烘烤、显影硬烘烤和除渣。

  HMDS prime - 在晶圆表面涂上附着力促进剂。附着力促进剂用于与晶圆表面发生化学反应,并用有机官能团取代 -OH 基团,与羟基不同,该官能团对光刻胶具有良好的附着力。硅烷通常用于此目的,最常见的是六甲基二硅烷 (HMDS)。

  施加粘合促进剂的优选方法是将基材置于 HMDS 蒸汽中,通常是在升高的温度和降低的压力下。这允许在没有过多 HMDS 沉积的情况下对基材进行良好的涂覆,并且更高的温度会导致与硅烷醇基团的反应好。

  文中所要求的HMDS蒸汽及升高温度和降低压力的制作工艺,可在HMDS烘箱中完成,无需独立操作,一键作业。

HMDS烘箱技术规格:

内腔尺寸:300×300×300、450×450×450(mm)(可定制)

材质:内箱采用 316L 医用级不锈钢

温度范围:RT+30-200℃

真空度:≤1torr

电源及总功率:AC 220V±10% / 50HZ,总功率约2.8KW

控制仪表:人机界面,一键运行

搁板层数:2 层

HMDS控制:可控制HMDS添加量

真空泵:无油涡旋真空泵


HMDS药液泄漏报警提示功能

HMDS低液位报警提示功能

工艺数据记录功能

药液管道预热功能

程序锁定保护等功能



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