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硅片HMDS涂布机台,4寸Wafer hmds烤箱

硅片HMDS涂布机台,4寸Wafer hmds烤箱

简要描述:

硅片HMDS涂布机台,4寸Wafer hmds烤箱是将 HMDS 涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水, 其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。

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硅片HMDS涂布机台,4寸Wafer hmds烤箱的作用:

在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻 的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟 基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会 侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀 容易发生侧向腐蚀。增黏剂 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将 HMDS 涂到硅片 表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水, 其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。

硅片HMDS涂布机台,4寸Wafer hmds烤箱的工作原理:

   首先确定烘箱工作温度,打开真空泵抽真空,待腔内真牢度达到某一高真空度后,开始充人氮气,充到达到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入 HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入 HMDS 药液,进入保持阶段,使硅片充分与 HMDS 反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS 与硅片反应机理:首先加热到 150℃ -170℃,去除硅片表面的水分,然后 HMDS 与表面的 OH 一反应,在硅片表而生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。

的注意事项:

尾气排放:多余的 HMDS 蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集 管道时需做专门处理。

 

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