ITO无氧化烤箱，防氧化退火炉薄膜电导率随退火温度的上升呈先上升后下降的变化。上升阶段，载流子浓度和迁移率共同影响电导率；下降阶段，迁移率的降低对电导率的减小起到主要作用。
ITO无氧化烤箱，防氧化退火炉简介：
ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。ITO制备工艺中退火是非常重要的工艺步骤，对烤箱的温度、含氧量都有明确的要求。
ITO无氧化烤箱，防氧化退火炉的必要性：
1、在ITO中，Sn是以替位参杂的方式，取代In出现在In2O3晶格中，形成氧化铟锡置换固溶体随着退火温度的升高，峰强增强，ITO晶粒择优生长，晶粒尺寸随温度的上升而变大。
2、随着退火温度的升高，ITO薄膜的微观结构得到改善，表面形貌均一稳定，但当退火温度超过某一界*，ITO颗粒大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜的表面形貌遭到破坏。
3、薄膜电导率随退火温度的上升呈先上升后下降的变化。上升阶段，载流子浓度和迁移率共同影响电导率；下降阶段，迁移率的降低对电导率的减小起到主要作用。
ITO无氧化烤箱技术指标：
内腔尺寸：W600mm×D600mm×H600mm（可定做）
材质：SUS304不锈钢
温度范围：RT+10-450℃，使用温度≤400℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：＜±0.5℃
温度均匀度：≤±1.5%
洁净度：class 100，设备采用无尘材料，适用100级光刻间净化环境
电源及总功率：AC 380V±10% / 50HZ 总功率约21.0KW
升温速度：8℃/min，（空箱测试）可自定义
降温速度：约3℃/min（空箱测试）可自定义
氧含量分析仪：≤ 100ppm
