后曝光氮气烘箱，PEB无尘烘箱所使用的高温（100-130°C）会使光敏化合物扩散，从而消除驻波波纹.百级洁净度无尘化，专用于半导体，集成电路。
后曝光氮气烘箱，PEB无尘烘箱应用工艺
无尘烘箱所使用的高温（100-130°C）会使光敏化合物扩散，从而消除驻波波纹.百级洁净度无尘化，专用于半导体，集成电路。
一种减少驻波效应的方法称为后曝光烘烤（PEB）。所使用的高温（100-130°C）会使光敏化合物扩散，从而消除驻波波纹。重要的是要注意，高温对光刻胶的有害影响，如上所述的PAB，也适用于PEB。因此，优化烘烤条件变得非常重要。此外，曝光产物的扩散速率取决于PAB条件-存在溶剂可以增强PEB过程中的扩散。因此，低温后曝光烘烤可以在给定的PEB温度下产生更大的扩散。
对于常规光刻胶，PEB的主要意义在于消除驻波的扩散。对于另一类称为化学增强光刻胶的光刻胶，PEB是产生曝光和未曝光部分光刻胶可溶解度差异的化学反应的必要组成部分。对于这些光刻胶，曝光产生一小部分强酸，它本身不会改变光刻胶的溶解度。在后曝光烘烤期间，这种光产生的酸催化了一种反应，改变了光刻胶中聚合物树脂的溶解度。对于化学增强光刻胶，PEB的控制非常关键。
后曝光氮气烘箱，PEB无尘烘箱性能
洁净度：Class100;
温度：RT+15～300℃；
工艺气体：N2
计时功能：0-99H99M99S
设备材质：内部SUS304不锈钢
工作尺寸（mm）：
450×450×450(4)
500×500×550(6)
600×600×700(8)
（可定制）
网板：活动式2块
无尘烘箱，百级洁净烘箱适用性：
氮气烘箱也适用于IC封装、光刻胶固化、银胶固化、电子液晶显示、LCD、CMOS、MEMS、医药、实验室等生产及科研.
