RTP快速退火炉，快速热处理设备（RTP）简介
快速热处理设备（RTP）可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料，离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火炉，快速热处理设备（RTP）具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。

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更新时间：2025-09-16
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RTP快速退火炉，快速热处理设备（RTP）简介
快速热处理设备（RTP）可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料，离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火炉，快速热处理设备（RTP）具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。
RTP快速退火炉，快速热处理设备（RTP）主要技术指标
　　l、外形尺寸：550×650×650mm（长×宽×高）
　　2、炉内体尺寸：327×249×123mm（长×宽×高）
　 3、工作室采用进口GE石英，外径尺寸：290×230×24mm（长×宽×高）；表面进行磨砂处理
　　4、不锈钢反应室上下反射面聚焦设计，内表面采用镀金处理，减小热损失，极大提高了反射效率
　　5、水冷却，确保灯箱散热与快速降温
　　6、风扇冷却保证加热灯的冷却
　　7、zui大温度范围150℃—1000℃，K型热电偶
　　8、升温速率：0.01—100℃/s可预设定
　　9、气体：两路美国进口浮子流量计控制，流量：0—5L/min
　　10、采用欧陆2604高精度温控仪控制温度
　　11、快速热处理设备（RTP）可编程多条温度曲线
　　l2、双闭环控制温度，稳态温度稳定性±1℃
　　l3、光源：1200W×21只卤钨灯
　　l4、电源：AC380V；63A三相
　　l5、有效加热区：180×180mm
　　l6、石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板
　

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