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HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的方法与优点

发布时间:2022-04-09   点击次数:129次

HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的重要性

  半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。智能型HMDS真空系统将HMDS 涂到半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。

HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的方法:

(1)浸润分滴和旋转。浸润分滴和旋转的方法常用于单个硅片的处理。温度和用量容易控制,但需要排液和排气装置。缺点是HMDS消耗量较大及对人体伤害的问题。

(2)喷雾分滴和旋转。喷雾的方法是用一喷雾器在晶圆片表面喷一层细微的 HMDS,这种方法的优点是有助于晶圆片表面颗粒的去除,但同样存在消耗量较大的问题及对人体伤害的问题。

(3)气相成底膜是常用的方法,通常在120~150℃下完成。气相成底膜的优点是由于没有与硅片的接触减少了来自液体 HMDS 颗粒沾污的可能,并且HMDS 的消耗量也最少。气相成底膜的温度与烘焙温度接近,因此在实际操作中也常将二者结合起来使用


  智能型HMDS真空系统通过对箱体内预处理过程的工作温度、工作压力、处理时间、处理时保持时间等参数的控制可以在硅片、衬底表面完成 HMDS成底膜的工艺。降低了光刻胶的用量,所有工艺都在密闭的环境中进行,完全没有HMDS挥发,提高了安全性。



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