HMDS烘箱基片预处理

　　在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。

　　增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS烘箱涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

　　JS-HMDS预处理系统的原理：

　　JS-HMDS 预处理系统通过对HMDS烘箱预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高

　　光刻胶与硅片的黏附性。

　　JS-HMDS预处理系统的一般工作流程：

　　首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS烘箱反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(*基硅烷基较大)阻止其进一步反应。

　　尾气排放等：多余的HMDS烘箱蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到废气收集管道。在无废气收集管道时需做专门处理。

　　HMDS烘箱主要技术指标

　　整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体，一目了然。箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。工作室采用不锈钢板（或拉丝板）制成，确保产品经久耐用。

　　HMDS烘箱整机尺寸、真空腔体尺寸：

　　内胆尺寸 560X600X640 450X450X450

　　外形尺寸 720X820X1750 610X680X1460

　　电源：AC220V，功率：2060W

　　真空度：133Pa

　　加热方式：腔体下部及两侧加温。加热器为外置加热板

　　温度：RT+10℃～ 200℃；微电脑温度控制器，控温可靠。控温精度：0.1℃