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无尘无氧烘箱在晶圆级封装工艺的应用

更新时间:2023-03-20   点击次数:541次

无尘无氧烘箱在晶圆级封装工艺的应用

晶圆级封装工艺流程:


1、涂覆第一层聚合物薄膜,以加强芯片的钝化层,起到应力缓冲的作用。聚合物种类有光敏聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、聚苯并恶唑(PBO)。


2、重布线层(RDL)是对芯片的铝/铜焊区位置重新布局,使新焊区满足对焊料球最小间距的要求,并使新焊区按照阵列排布。光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形,最后湿法蚀刻去除光刻胶和溅射层。


3、涂覆第二层聚合物薄膜,是圆片表面平坦化并保护RDL层。在第二层聚合物薄膜光刻出新焊区位置。


4、凸点下金属层(UBM)采用和RDL一样的工艺流程制作。


5、植球。焊膏和焊料球通过掩膜板进行准确定位,将焊料球放置于UBM上,放入回流炉中,焊料经回流融化与UBM形成良好的浸润结合,达到良好的焊接效果。


  以上聚合物薄膜工艺中的PI/BCB/PBO聚合物固化过程中无尘无氧烘箱是必要的生产设备。

无尘无氧烘箱技术要求:


温度范围:RT+50~350/450/550℃

工作室尺寸(cm):W50×D50×H50;可定制

氧含量指标:≤ 50ppm ,实时检测

洁净度:class100/1000

控温方式:曲线升温模式;

控温段数:多段数,多工艺;

氮气控制:可调式氮气流量计,全程通氮气。

辅助降温:风冷/水冷等快速降温装置


真空无尘无氧烘箱

温度范围:RT+50~350/450/550℃

工作室尺寸(cm):W50×D50×H50;可定制

氧含量指标:≤ 50ppm,实时检测

洁净度:class100/1000

控温方式:曲线升温模式;

控温段数:多段数,多工艺;

氮气控制:可调式氮气流量计,全程通氮气。

辅助降温:风冷/水冷等快速降温装置

真空度:1torr

真空泵:涡旋无油泵


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